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FMB30H120SL 富滿微/FM MOS
FMB30H120SL 富滿微/FM MOS
30V,123A 場(chǎng)效應(yīng)管
RDS（ON）=2.7mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進(jìn)的溝槽技術(shù)
RDS（ON）=2.7mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進(jìn)的溝槽技術(shù)
FMB30H120SL N 溝道溝槽功率 MOSFET
特點(diǎn) 30V、123A RDS（ON）=2.7mΩ（典型值）@ VGS =10V RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS =4.5V 先進(jìn)的溝槽技術(shù) 提供出色的 RDS(ON)和低柵極電荷 100% 通過(guò) UIS 測(cè)試 | 應(yīng)用 液晶電視 筆記本電腦 電梯 ? 感應(yīng)加熱 電動(dòng)工具 寬帶 |
| 包裝標(biāo)記和訂購(gòu)信息 |
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| 絕對(duì)最大額定值（TC=25℃，另有說(shuō)明除外） |
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上一個(gè)：
FMB30H150SL 富滿微/FM MOS
下一個(gè)：
FMB30H100SL 富滿微/FM MOS
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sophieyang@wintec-semi.com
廣東省深圳市南山區(qū)深南大道海岸時(shí)代大廈東B座23樓2303